Kouch epitaxial ki ap dirije mouri nan fosfò-konvèti (PC) LED yo souvan konstwi nan kristal ki baze sou Galyòm tankou nitrur Indium Galyòm (InGaN). Akòz bandgap dwat li yo, ki pèmèt aplikasyon optoelectronic efikas, InGaN te ogmante nan popilarite parapò ak lòt materyèl semi-conducteurs. Dyod blan ki pi efikas ki disponib jodi a yo bati nan InGaN. InGaN LED yo kapab pwodwi limyè ak efikasite plis pase 200 lm/W, efikasite pwopòsyon ekstèn ki gen plis pase 60 pousan, ak efikasite pwopòsyon entèn ki gen plis pase 70 pousan.
Sou safi, Silisyòm, carbure Silisyòm, oswa nitrure galyòm, kwasans epitaxial inGaN ka rive. Depi safi se materyèl ki pi ekonomik pou sipòte yon kwasans epitaxial GaN bon jan kalite relativman wo, li se prèske sèlman itilize pou fè dirije jodi a. Sepandan, pi gran pase 13 pousan dezekilib lasi pwodwi pa devlopman heteroepitaxial nan GaN sou safi, ki mennen nan yon dansite debwatman segondè nan kouch epitaxial yo. Gen plis zòn nwa ak redwi efikasite lumineux lè dansite debwatman gwo. Nan lòt men an, carbure Silisyòm (SiC) se 4.5 fwa plis konpatib ak lasi nan gaN pase safi, sa ki pèmèt pou plis ekstraksyon limyè. Karakteristik fizik SiC a prezante obstakl pwosesis konsiderab, ki se youn nan dezavantaj li yo.
Ap grandi GaN anlè GaN se yon metòd ki pi avanse. Fondamantalman adrese restriksyon epitaxial tankou dezakò lasi ak dezakò CTE se teknoloji GaN-on-GaN. Kòm yon rezilta, li posib yo fabrike aparèy vòltaj segondè pann ak kouch trè epè nan GaN ki gen yon efikasite radyativ segondè.
